NAND °ø¹é °ø·«
ÇÁ·ÎºêÄ«µå Àü¹® ±â¾÷
ÇÇ¿¥Æ¼´Â ¿þÀÌÆÛ Å×½ºÆ®¿ë ÇÁ·ÎºêÄ«µå Àü¹® ±â¾÷ÀÌ´Ù. NAND¿ë ÇÁ·ÎºêÄ«µå¿Í DRAM WBI¿ë Á¦Ç°ÀÌ ÁÖ·ÂÀ̸ç, ±¹³» ÁÖ¿ä ¸Þ¸ð¸® ¾÷ü°¡ ÇÙ½É °í°´ÀÌ´Ù. ÇÁ·ÎºêÄ«µå´Â ¿þÀÌÆÛ »ó °³º° ´ÙÀÌÀÇ Àü±âÀû Ư¼ºÀ» °Ë»çÇÏ´Â ÇÙ½É ¼Ò¸ðǰÀÌ´Ù. µ¿»ç´Â 21³â±îÁö 3D ÇÁ·ÎºêÄ«µå¸¦ °ø±ÞÇßÀ¸³ª ǰÁú À̽´ ÀÌÈÄ 2D MEMS °øÁ¤ ÀüȯÀ» ÃßÁøÇß°í, 25³â 8¿ùºÎÅÍ 2D Á¦Ç° ³³Ç°À» Àç°³Çϸç Á¤»óÈ ±¹¸é¿¡ ÁøÀÔÇß´Ù.
°æÀï»ç HBM ÁøÀÔ¿¡ µû¸¥ NAND ½ÃÀå ³» ¹Ý»ç¼öÇý
±¹³» °æÀï»çÀÎ ÄÚ¸®¾ÆÀνºÆ®·ç¸ÕÆ®¿Í Ƽ¿¡½ºÀ̰¡ HBM/DRAM Å×½ºÆ® ¿µ¿ªÀ¸·Î ÁøÀÔÇÏ¸é¼ Å×½ºÆ® ijÆÄ°¡ ºÐ»êµÇ°í ÀÖ´Ù. °í³À̵µ Á¦Ç° ´ëÀÀ¿¡ ¸®¼Ò½º°¡ ÁýÁߵǸç NANDÇâ ¼öÁÖ/³³±â ´ëÀÀÀÌ Á¦ÇѵǴ »óȲÀÌ ¹ß»ýÇß´Ù. HBM ½ÃÀå °í¼ºÀåÀÌ Áö¼ÓµÇ´Â ÇÑ °æÀï»çµéÀÇ ¸®¼Ò½º ÁýÁßµµ ´çºÐ°£ À̾îÁú °¡´É¼ºÀÌ ³ô´Ù. µ¿»ç´Â °ú°Å NAND ½ÃÀå Á¡À¯À² 50%¸¦ ±â·ÏÇÑ ·¹ÆÛ·±½º¸¦ º¸À¯ÇØ Á¡À¯À² ȸº¹ ¿©·ÂÀÌ Á¸ÀçÇÑ´Ù.
2D ³³Ç° Àç°³·Î ½ÇÀû ÅϾî¶ó¿îµå °¡´É¼º
21³â ǰÁú À̽´ ÀÌÈÄ ¸ÅÃâÀÌ 21³â 605¾ï¿ø¿¡¼ 24³â 244¾ï¿ø±îÁö Ãà¼ÒµÆÀ¸³ª, 25³â 8¿ù 2D Á¦Ç° ³³Ç°À» Àç°³Çϸç ȸº¹ ±¹¸é¿¡ ÁøÀÔÇß´Ù. ÇöÀç »ó¹Ý±â ¼öÁÖ 270¾ï¿øÀ» È®º¸ÇßÀ¸¸ç, ÀÌ´Â ºÐ±â BEP 130~140¾ï¿øÀ» »óȸÇÏ´Â ¼öÁØÀÌ´Ù. ¿ÃÇØ 6¿ù±îÁö 2D ÇÉ ¼öÀ² ¾ÈÁ¤È¸¦ ¸ñÇ¥·Î °³¼± ÀÛ¾÷ÀÌ ÁøÇà ÁßÀ̸ç, ¸ñÇ¥ ´Þ¼º ½Ã ³³Ç° ¹°·® È®´ë¿Í ¿ø°¡ °³¼±ÀÌ µ¿½Ã¿¡ °¡´ÉÇÏ´Ù. ¼öÀ² ¾ÈÁ¤È ÁøÀü¿¡ µû¶ó ÇϹݱ⠽ÇÀû ÅϾî¶ó¿îµå °¡´É¼ºÀÌ È®´ëµÉ ¼ö ÀÖ´Ù.
¹ë·ù¿¡ÀÌ¼Ç ¹× ¸®½ºÅ©
ÇöÀç PBR 2.44¹è ¼öÁØ¿¡¼ °Å·¡ ÁßÀ̸ç(°ú°Å 3°³³â Æò±Õ 1.06¹è), ÇǾî(JEM, Ƽ¿¡½ºÀÌ) Æò±Õ 2.36¹è¿Í À¯»çÇÑ ¼öÁØÀÌ´Ù. 3°³³â ¿¬¼Ó ÀûÀÚ·Î PER ÇØ¼®ÀÌ Á¦ÇÑÀûÀÎ ¸¸Å ¹ë·ù¿¡ÀÌ¼Ç ¸ÖƼÇà ÀÚüº¸´Ù ½ÇÀû Á¤»óÈ ¿©ºÎ°¡ ÇÙ½É º¯¼ö´Ù. ÁÖ¿ä ¸®½ºÅ©·Î´Â ¿ÃÇØ 6¿ù ¸ñÇ¥ÀÎ 2D ¼öÀ² ¾ÈÁ¤È Áö¿¬ °¡´É¼º, ±¹³» ƯÁ¤ °í°´»ç¿¡ ´ëÇÑ ³ôÀº ¸ÅÃâ ÀÇÁ¸µµ, °æÀï»çµéÀÇ NAND ½ÃÀå º¹±Í¿¡ µû¸¥ °æÀï ½ÉÈ °¡´É¼º µîÀÌ ÀÖ´Ù.
**** ÀÚ¼¼ÇÑ ³»¿ëÀº ÷ºÎÆÄÀÏÀ» Âü°íÇϽñ⠹ٶø´Ï´Ù.